三星电子与英伟达正将双边合作推向新的深度，谈判范围已从当前产品线延伸至下一代高带宽内存及芯片代工领域，标志着这两家科技巨头在AI基础设施供应链上的战略绑定进一步加强。
据TrendForce News周二报道，三星电子副会长全永铉（Jun Young-hyun）于6月8日与英伟达CEO黄仁勋举行会谈，双方就HBM及代工服务的潜在合作展开讨论。
全永铉表示，近期首要任务是确保今年HBM4及SOCAMM的稳定供应，同时双方也就明年起的长期合作进行了磋商，涵盖HBM4E、代工服务及HBM5。
此次会谈发生在黄仁勋高调访问韩国、并与SK海力士举行一系列会面之后，外界对三星能否在英伟达供应链中巩固地位高度关注。全永铉虽未就双方是否将签署长期内存供应协议作出确认，但据Newspim报道，他表示三星将竭尽全力作为英伟达的重要合作伙伴支持其成功。
代工合作延伸至下一代Groq芯片在代工业务层面，三星与英伟达的合作范围正在扩大。三星正与英伟达就利用先进制程生产下一代芯片展开谈判，涉及Drive AGX Thor自动驾驶芯片及Groq语言处理单元（LPU）。
全永铉表示三星目前正以4nm和8nm制程为英伟达生产自动驾驶及Groq芯片，合作还延伸至下一代Groq芯片。三星目前以4nm制程生产第三代Groq LPU（LP30），全永铉的表态意味着三星同样具备生产下一代LP40的能力——尽管业界此前普遍预期台积电凭借先进封装优势将拿下该订单。
英伟达CEO黄仁勋在英伟达韩国AI生态系统接待会的问答环节中亦就双方合作作出表态。据Dealsite报道，黄仁勋表示英伟达与三星在ASIC领域长期合作，目前正共同开发新的ASIC产品，双方在内存技术领域也有着长期合作历史。
内存供应覆盖Vera Rubin平台全线产品在内存业务方面，三星已为英伟达的Vera Rubin平台提供多款产品。三星正为该平台供应第六代HBM4内存，数据传输速率为11.7 Gbps；同时为Vera CPU提供基于LPDDR5X的SOCAMM2模组，以及基于PCIe Gen6的PM1763存储解决方案。
在下一代产品方面，三星的HBM4E将DRAM核心芯片与自研4nm代工基础芯片相结合，传输速度达到14 Gbps，测试中最高可达16 Gbps。这一技术参数若能顺利量产，将有助于三星在高端HBM市场与SK海力士展开更直接的竞争。
长期协议悬而未决，合作框架仍在成形尽管双方合作范围持续扩大，但关键的长期供应协议尚未落定。全永铉在被问及是否将签署长期内存供应协议时未予正面确认，措辞相对审慎。
从整体格局来看，此次会谈涵盖HBM4、HBM4E、HBM5、代工制程及ASIC联合开发等多个维度，显示双方合作已从单一产品采购向更深层次的技术协同演进。对于投资者而言，三星能否在代工端成功争取到LP40订单、并在HBM供应链中进一步提升份额，将是衡量此轮合作实质进展的关键指标。
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